參數(shù)資料
型號： KSE2955T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose and Switching Applications
中文描述： 10000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： KSE2955T
4.50
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0.20
9.90
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2.54TYP
[2.54
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0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, December 2000
K
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSE3055T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE3055TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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