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參數(shù)資料
| 型號： | KSP27TA |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP 1000PF 50V CERAMIC X7R 10% |
| 中文描述： | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | KSP27TA |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
Units
: KSP25
: KSP26
: KSP27
40
50
60
10
500
625
150
V
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
°
C
°
C
-55~150
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Min.
Max.
Units
: KSP25
: KSP26
: KSP27
40
50
60
V
V
V
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP25
: KSP26
: KSP27
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
40
50
60
V
V
V
I
CBO
Collector Cut-off Current
: KSP25
: KSP26
: KSP27
V
CE
=30V, I
E
=0
V
CE
=40V, I
E
=0
V
CE
=50V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
B
=0
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
100
100
100
100
nA
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
10K
10K
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter On Voltage
1.5
2
V
V
KSP25/26/27
Darlington Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CES
=KSP25: 40V
KSP26: 50V
KSP27: 60V
Collector Power Dissipation: P
C
(max) =625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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