參數(shù)資料
型號： KST10
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： KST10
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
R
TH
(j-a)
Thermal Resistance junction to Ambient
Refer to KSP10 for graphs
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
C
rb
Common-Base Feedback Capacitance
C
c·rbb′
Collector Base Time Constant
Parameter
Value
30
25
3
350
150
357
Units
V
V
V
mW
°
C
°
C/W
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=25V, I
E
=0
V
BE
=2V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=4mA
I
C
=4mA, I
B
=0.4mA
V
CE
=10V, I
C
=4mA
V
CE
=10V, I
C
=4mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CB
=10V, I
C
=4mA, f=31.8MHz
Min.
30
25
3
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
100
100
60
0.5
0.95
V
V
650
MHz
pF
pF
pF
0.7
0.65
9
KST10
VHF/UHF Transistor
3E
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KST13 Darlington Amplifier Transistor
KST14 Darlington Amplifier Transistor
KST2222A General Purpose Transistor
KST24 VHF Mixer Transistor
KST2907 General Purpose Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KST100S 制造商:LIUJING 制造商全稱:LIUJING 功能描述:可控硅、晶閘管
KST10MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST10MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Darlington Amplifier Transistor
KST13MTF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*