參數(shù)資料
型號(hào): KST10
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: VHF/UHF Transistor
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大小: 44K
代理商: KST10
0.96~1.14
0.12
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±
0.03
2.90
±
0.10
0.95
±
0.03
0.95
±
0.03
1.90
±
0.03
0.508REF
0
1
±
0
0
2
±
0
+0.05
–0.023
0
0.40
±
0.03
SOT-23
Package Dimensions
K
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KST13 Darlington Amplifier Transistor
KST14 Darlington Amplifier Transistor
KST2222A General Purpose Transistor
KST24 VHF Mixer Transistor
KST2907 General Purpose Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KST100S 制造商:LIUJING 制造商全稱:LIUJING 功能描述:可控硅、晶閘管
KST10MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST10MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Darlington Amplifier Transistor
KST13MTF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel