參數(shù)資料
型號(hào)： KST5401
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 56K
代理商： KST5401
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Parameter
Value
-160
-150
-5
-500
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1.0mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -100V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -1.0mA
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -50mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -1.0mA
I
C
= -50mA, I
B
= -5mA
I
C
= -10mA, V
CE
= -10V
f=100MHz
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1.0MHz
V
CE
= -5V, I
C
= -200
μ
A
R
S
=10K
,
f=10Hz to 15.7KHz
Min.
-160
-150
-5
Max.
Units
V
V
V
nA
-50
50
60
50
240
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
300
V
V
V
V
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
100
MHz
C
ob
NF
Output Capacitance
Noise Figure
6.0
8.0
pF
dB
KST5401
High Voltage Transistor
2L
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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KST5401MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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