參數(shù)資料
型號： kw07n120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 10/13頁
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代理商： KW07N120
Preliminary
SKW07N120
Power Semiconductors
10
Mar-00
I
F
,
F
0V
1V
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
2V
3V
4V
0A
5A
10A
15A
20A
T
J
=25°C
T
J
=150°C
V
F
,
F
0°C
40°C
80°C
120°C
0.0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
I
F
=3.5A
I
F
=14A
I
F
=7A
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 26. Typical diode forward voltage as
a function of junction temperature
Figure 25. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
Z
t
,
T
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
10
-1
K/W
10
0
K/W
001
002
0.05
0.1
0.2
single pulse
D
=0.5
t
p
,
PULSE WIDTH
Figure 27. Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
p
/
T
)
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.75885
0.88470
0.85670
τ
,
(s)
=
0.09354
0.00543
0.00042
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PDF描述
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參數(shù)描述
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