參數(shù)資料
型號(hào)： kw07n120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 389K
代理商： KW07N120
Preliminary
SKW07N120
Power Semiconductors
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
Anti-Parallel Diode Characteristic
Diode reverse recovery time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
27
29
440
21
0.6
0.4
1.0
35
38
570
27
0.8
0.55
1.35
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=800V,
I
C
=8A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=47
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
t
rr
t
S
t
F
Q
rr
I
rrm
di
rr
/dt
-
-
-
-
60
0.3
ns
Diode reverse recovery charge
μ
C
A
A/
μ
s
Diode peak reverse recovery current
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current during
t
F
-
-
9
T
j
=25
°
C,
V
R
=800V,
I
F
=8A,
di
F
/dt
=400A/
μ
s
400
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
30
26
490
30
1.0
0.7
1.7
36
31
590
36
1.2
0.9
2.1
ns
T
j
=150
°
C
V
CC
=800V,
I
C
=8A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=47
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Anti-Parallel Diode Characteristic
Diode reverse recovery time
t
rr
t
S
t
F
Q
rr
I
rrm
di
rr
/dt
-
-
-
-
170
1.1
ns
Diode reverse recovery charge
μ
C
A
A/
μ
s
Diode peak reverse recovery current
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current during
t
F
-
-
15
110
T
j
=150
°
C
V
R
=800V,
I
F
=8A,
di
F
/dt
=500A/
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KW1148C 1608 (h=0.35 mm) Type White LED
KW1305A 3.5 x 3.5 mm (h=1.6 mm) Type White LED
kw15n120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
kw25n120 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
KWT824 FLASH LED DEVICE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KW103G2 功能描述:THERMISTOR NTC 10K OHM +/-0.50 C RoHS:否 類(lèi)別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 熱敏電阻 - NTC 系列:KW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:*
KW103J2 功能描述:NTC THERMISTOR 10K OHM 0.5C BEAD 制造商:us sensor/littelfuse inc 系列:KW 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 25°C 時(shí)歐姆阻值:10k 電阻容差:±0.5°C B 值容差:- B0/50:3892K B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作溫度:120°C 功率 - 最大值:30mW 長(zhǎng)度 - 引線:1.50"（38.00mm） 安裝類(lèi)型:自由懸掛 封裝/外殼:圓珠，環(huán)氧樹(shù)脂 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
KW105AL 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
KW-105S 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
KW105STB 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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