參數(shù)資料
型號(hào): kw07n120
廠商: SIEMENS AG
英文描述: Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述: 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)(不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的)
文件頁(yè)數(shù): 4/13頁(yè)
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代理商: KW07N120
Preliminary
SKW07N120
Power Semiconductors
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 47
)
1kHz
10kHz
100kHz
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
35A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=5
μ
s
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
25W
50W
75W
100W
125W
150W
I
C
,
C
25°C
50°C
T
C
,
CASE TEMPERATURE
75°C
100°C
125°C
0A
5A
10A
15A
20A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
150
°
C)
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
15V,
T
j
150
°
C)
I
c
I
c
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PDF描述
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參數(shù)描述
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