參數(shù)資料
型號: L2N3904
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: General Purpose Transistors NPN Silicon
中文描述: 通用晶體管NPN硅
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 140K
代理商: L2N3904
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2N3904-6/6
L2N3904
Figure 17. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 18. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
+3 V
275
10 k
1N916
C
S
< 4 pF*
+3 V
275
10 k
C
S
< 4 pF*
< 1 ns
0.5 V
+10.9 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
9.1 V
+10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
相關PDF資料
PDF描述
L2N5401 Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7002LT1G Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7003LT1 Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2SA1036KLT1 Medium Power Transistor(-32V, -0.5A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
L2N3RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 3-3-3-3mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N5401 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon
L2N5RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2N60 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:600V N-Channel MOSFET Low gane charge