參數(shù)資料
型號(hào)： L2N5401
廠商： 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： Amplifier Transistors PNP Silicon
中文描述： 進(jìn)步黨硅晶體管放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： L2N5401
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2N5401
L
2N5401
-1/4
PNP Silicon
L2N5401
Amplifier Transistors
TO-92
123
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N5401
Unit
Collector Emitter Voltage
V
CEO
150
Vdc
Collector Base Voltage
V
CBO
160
Vdc
Emitter Base Voltage
V
EBO
5.0
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
600
mAdc
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not nor-
mal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are ex-
ceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reli-
ability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance,
JunctiontoAmbient
R
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance,
JunctiontoCase
R
JC
83.3
°
C/W
2N54
01
YWW
Y
WW
= Year
= Work Week
MARKING DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
L2N5RP 功能描述:雙向可控硅 200V 1A Sensing 5-5-5-5mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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