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參數(shù)資料
| 型號： | L2N7003LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts |
| 中文描述： | 小信號MOSFET 115 mAmps，60伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | L2N7003LT1 |
L2N7002LT1–1/3
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
1
3
2
L2N7002LT1
CASE 318, STYLE 21
SOT– 23 (TO–236AB)
115 mAMPS
60 VOLTS
R
DS(on)
= 7.5
1
2
3
N - Channel
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
2N7002LT1
SOT–23
3000 Tape & Reel
W
702
702
W
= Device Code
= Work Week
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
3
2
1
Drain
Gate
Source
2N7002LT3
SOT–23
10,000 Tape & Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
60
V
dc
Drain–Gate Voltage (R
GS
= 1.0 M
)
V
DGR
60
V
dc
Drain Current
– Continuous T
C
= 25
°
C (Note 1.)
– Continuous
T
C
= 100
°
C (Note 1.)
– Pulsed (Note 2.)
I
D
I
D
I
DM
±
115
±
75
±
800
mAdc
Gate–Source Voltage
– Continuous
– Non–repetitive (tp
≤
50
μ
s)
THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board
(Note 3.) T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
P
D
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(Note 4.) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
T
J,
T
stg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to
+150
°
C
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain
current.
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%.
3. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
4. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina.
Small Signal MOSFET
115 mAmps, 60 Volts
N–Channel SOT–23
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