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參數(shù)資料
| 型號： | L2N7003LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts |
| 中文描述： | 小信號MOSFET 115 mAmps，60伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | L2N7003LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2N7002LT1–3/3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
I
D
,
r
D
S
(
V
G
T
I
D
,
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
DS,
DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
GS,
GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60
-20
+20
+60
+100
+140
-60
-20
+20
+60
+100
+140
T, TEMPERATURE (
°
C)
Figure 3. Temperature versus Static
Drain–Source On–Resistance
T, TEMPERATURE (
°
C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
T
A
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
4 V
3 V
5 V
V
DS
= 10 V
-55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= 10 V
I
D
= 200 mA
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0 mA
L2N7002LT1
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