參數(shù)資料
型號： LA4064V-75TN100E
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 6/42頁
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描述： IC CPLD 64MACROCELLS 100TQFP
標準包裝： 90
系列： LA-ispMACH
可編程類型： 系統(tǒng)內(nèi)可編程
最大延遲時間 tpd(1)： 7.5ns
電壓電源 - 內(nèi)部： 3 V ~ 3.6 V
宏單元數(shù)： 64
輸入/輸出數(shù)： 64
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-TQFP（14x14）
包裝： 托盤
其它名稱： 220-1634
LA4064V-75TN100E-ND
Lattice Semiconductor
LA-ispMACH 4000V/Z Automotive Family Data Sheet
14
Absolute Maximum Ratings
1, 2, 3
LA-ispMACH 4000V (3.3V)
LA-ispMACH 4000Z (1.8V)
Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 2.5V
Output Supply Voltage (VCCO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 4.5V
Input or I/O Tristate Voltage Applied
4, 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5 to 5.5V
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150°C . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 150°C
Junction Temperature (Tj) with Power Applied . . . . . . . . . . -55 to 150°C . . . . . . . . . . . . . . . -55 to 150°C
1. Stress above those listed under the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specication
is not implied.
2. Compliance with Lattice Thermal Management document is required.
3. All voltages referenced to GND.
4. Undershoot of -2V and overshoot of (VIH (MAX) + 2V), up to a total pin voltage of 6.0V, is permitted for a duration of < 20ns.
5. Maximum of 64 I/Os per device with VIN > 3.6V is allowed.
Recommended Operating Conditions
Erase Reprogram Specications
Hot Socketing Characteristics
1,2,3
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
VCC
LA-ispMACH 4000V Supply Voltage
3.0
3.6
V
LA-ispMACH 4000Z Supply Voltage
1.7
1.9
V
LA-ispMACH 4000Z, Extended Functional Voltage Operations
1.6
1
1.9
V
TA
Ambient Temperature (Automotive)
-40
125
C
1. Devices operating at 1.6V can expect performance degradation up to 35%.
Parameter
Min.
Max.
Units
Erase/Reprogram Cycle
1,000
—
Cycles
Note: Valid over commercial temperature range.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IDK
Input or I/O Leakage Current
0 ≤ VIN ≤ 3.0V, Tj = 105°C
—
±30
±150
A
0 ≤ VIN ≤ 3.0V, Tj = 130°C
—
±30
±200
A
1. Insensitive to sequence of VCC or VCCO. However, assumes monotonic rise/fall rates for VCC and VCCO, provided (VIN - VCCO) ≤ 3.6V.
2. 0 < VCC < VCC (MAX), 0 < VCCO < VCCO (MAX).
3. IDK is additive to IPU, IPD or IBH. Device defaults to pull-up until fuse circuitry is active.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
THJB226M006RJN CAP TANT 22UF 6.3V 20% 1210
LC4128ZC-75M132C IC PLD 128MC 96IO 7.5NS 132CSBGA
VE-B7T-CY-F3 CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 50W
VI-2NJ-CY-B1 CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
VI-2NH-EV-F4 CONVERTER MOD DC/DC 52V 150W
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參數(shù)描述
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LA4064V-75TN48ETR 制造商:Lattice Semiconductor Corporation 功能描述:
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