Figure 2-14. DCS Waveforms sysMEM Memory The LatticeECP/EC devices contain a number of sysMEM" />
參數(shù)資料
型號： LFEC3E-4TN100C
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 57/163頁
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描述： IC FPGA 3.1KLUTS 100TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： EC
邏輯元件/單元數(shù)： 3100
RAM 位總計： 56320
輸入/輸出數(shù)： 67
電源電壓： 1.14 V ~ 1.26 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-TQFP（14x14）
2-12
Architecture
LatticeECP/EC Family Data Sheet
Figure 2-14. DCS Waveforms
sysMEM Memory
The LatticeECP/EC devices contain a number of sysMEM Embedded Block RAM (EBR). The EBR consists of a 9-
Kbit RAM, with dedicated input and output registers.
sysMEM Memory Block
The sysMEM block can implement single port, dual port or pseudo dual port memories. Each block can be used in
a variety of depths and widths as shown in Table 2-6.
Table 2-6. sysMEM Block Configurations
Bus Size Matching
All of the multi-port memory modes support different widths on each of the ports. The RAM bits are mapped LSB
word 0 to MSB word 0, LSB word 1 to MSB word 1 and so on. Although the word size and number of words for
each port varies, this mapping scheme applies to each port.
RAM Initialization and ROM Operation
If desired, the contents of the RAM can be pre-loaded during device configuration. By preloading the RAM block
during the chip configuration cycle and disabling the write controls, the sysMEM block can also be utilized as a
ROM.
Memory Mode
Configurations
Single Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
True Dual Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
Pseudo Dual Port
8,192 x 1
4,096 x 2
2,048 x 4
1,024 x 9
512 x 18
256 x 36
CLK0
SEL
DCSOUT
CLK1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
LFEC3E-4TN100I 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 3.1K LUTs 67 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFEC3E-4TN144C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 3.1K LUTs Pb-Free RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFEC3E-4TN144I 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 3.1K LUTs 97 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFEC3E-5F256C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 3.1K LUTs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
LFEC3E-5F256CES 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 3.1 LUT 160 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
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