參數(shù)資料
型號(hào)： LFX200B-04F256C
廠商： Lattice Semiconductor Corporation
文件頁數(shù)： 29/119頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 200K GATES 256-BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ispXPGA®
邏輯元件/單元數(shù)： 2704
RAM 位總計(jì)： 113664
輸入/輸出數(shù)： 160
門數(shù)： 210000
電源電壓： 2.3 V ~ 3.6 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 85°C
封裝/外殼： 256-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 256-FPBGA（17x17）
Lattice Semiconductor
ispXPGA Family Data Sheet
13
Figure 13. EBR Synchronous Read Timing Diagram
Synchronous Write: The WE signal controls the synchronous write operation. When the WE signal is high, the
write operation begins. Once the address and data are present and the Output Enable (OE) is active, a rising clock
edge (or falling edge depending on polarity) causes the data to be stored into the EBR. Figure 14 illustrates the
synchronous write timing.
Figure 14. EBR Synchronous Write Timing Diagram
Asynchronous Read: The WE signal controls the asynchronous read operation. When the WE signal is low, the
read operation begins. Shortly after the address is present, the stored data is available on the DATA port. Figure 15
illustrates the asynchronous read timing. For more information about the EBR, refer to TN1028 ispXPGA Memory
Figure 15. EBR Asynchronous Read Timing Diagram
WE
CLK
CE
DATA
ADDR
OE
Valid Data
Invalid Data
Valid Data
t
EBWEEN
t
EBADDS
t
EBCO
t
EBWES
t
EBCES
t
EBCPW
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBCEH
t
EBWEH
t
EBWEDIS
t
EBADDH
WE
CLK
WRITE
DATA
ADDR
WRITE
t
EBWEH
t
EBADDS
t
EBADDH
t
EBDATAS
t
EBDATAH
t
EBPW
t
EBWES
WE
DATA
ADDR
OE
DATA1
Invalid Data
DATA1
ADDR0
ADDR1
ADDR2
DATA0
t
EBWEEN
t
EBARADO
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEDIS
t
EBARAD_H
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LFX200B-04FN516C 功能描述:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列 210K Gt ispJTAG 2.5 /3.3V -4 Spd RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數(shù)量: 邏輯塊數(shù)量:943 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數(shù)量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256
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