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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LMBT3906DW1T1G |
| 廠商： | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistor |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 411K |
| 代理商： | LMBT3906DW1T1G |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L
MBT3906DW1T1G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 13. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
VCE = 1.0 V
TJ = +125
°
C
+25
°
C
-55
°
C
Figure 14. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
IC = 1.0 mA
TJ = 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 15. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 16. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
-0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
-1.0
-1.5
-2.0
200
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
+25
°
C TO +125
°
C
-55
°
C TO +25
°
C
+25
°
C TO +125
°
C
-55
°
C TO +25
°
C
VC FOR VCE(sat)
VB FOR VBE(sat)
,
V
°
5/9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMBT3906DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistor |
| LMBT3906LT1 | General Purpose Transistors |
| LMBT3906LT1G | General Purpose Transistors |
| LMBT3906TT1 | General Purpose Transistors |
| LMBT3946DW1T1 | Dual General Purpose Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LMBT3906LT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors |
| LMBT3906LT1G | 制造商: 功能描述:TRANSISTOR |
| LMBT3906TT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors |
| LMBT3906TT1G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors |
| LMBT3906WT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors |
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