- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377650 > LMBT3946DW1T1 (樂山無線電股份有限公司) Dual General Purpose Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | LMBT3946DW1T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 雙通用晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | LMBT3946DW1T1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LMBT3946DW1T1 7/11
LMBT3946DW1T1
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
LMBT3946DW1T1
(NPN)
Figure 15. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
VCE= 1.0 V
TJ = +125C
+25C
-55C
(NPN)
Figure 16. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
IC = 1.0 mA
TJ = 25
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
(NPN)
Figure 17. "ON" Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 18. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
-0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120 140
160 180
20
40
100
C
200
-1.0
-1.5
-2.0
200
TJ = 25
VBE(sat)@IC/IB =10
VCE(sat)@ IC/IB =10
VBE@ VCE=1.0V
+25C TO+125C
-55C TO +25C
+25C TO+125 C
-55C TO+25 C
θ
VC
FOR VCE(sat)
FOR VBE(sat)
(NPN)
(NPN)
C
C
θ
VB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMBT4401LT1 | General Purpose Transistor |
| LMBT4401LT1G | General Purpose Transistor |
| LMBT4403LT1 | General Purpose Transistors (PNP SILICON) |
| LMBT4403LT1G | General Purpose Transistors (PNP SILICON) |
| LMBT5087LT1 | Low Noise Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LMBT3946DW1T1G | 制造商: 功能描述:TRANSISTOR |
| LMBT4401LT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistor |
| LMBT4401LT1G | 制造商: 功能描述:TRANSISTOR 制造商:undefined 功能描述:TRANSISTOR |
| LMBT4401WT1G | 制造商:undefined 功能描述:3PIN GENERAL TRANSISTOR , SOT23 |
| LMBT4403LT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors (PNP SILICON) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。