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參數(shù)資料
| 型號： | LNA2802L |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| 中文描述： | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 封裝： | PLASTIC, LT3LR1N02-002, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | LNA2802L |
1
Infrared Light Emitting Diodes
LNA2802L
(LN68)
GaAs Infrared Light Emitting Diode
3.0
±
0.2
3.8
±
0.2
2-0.8 max.
2-0.5
±
0.1
0.5
±
0.1
2.54
5
±
0
1
1
±
1
4
±
0
0
1
(
1
2
N
1: Anode
2: Cathode
Unit : mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
75
50
1
3
–25 to +85
– 40 to +100
Unit
mW
mA
A
V
C
C
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
For optical control systems
Features
High-power output, high-efficiency : P
O
= 5 mW (typ.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors :
λ
P
= 940 nm (typ.)
Good radiant power output linearity with respect to input current
Long lifetime, high reliability
3 plastic package
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
P
O
λ
P
λ
V
F
I
R
C
t
θ
Conditions
min
2.5
typ
5
940
50
1.3
max
Unit
mW
nm
nm
V
μ
A
pF
deg.
Radiant power
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Reverse current (DC)
Capacitance between terminals
Half-power angle
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
1.5
10
35
20
The angle in which radiant intencity is 50%
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LNA2901L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA2903L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA2904L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA2W01L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA4401L | GaAlAs Infrared Light Emitting Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LNA2802L(LN68) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:光デバイス － 発光素子 － 赤外発光ダイオード |
| LNA2901L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA2902L | 功能描述:IR LED 950NM 20 DEG T1-3/4 RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標準包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
| LNA2903L | 功能描述:IR LED 950NM 25 DEG T1-3/4 RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標準包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
| LNA2903L(LN66A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:光デバイス － 発光素子 － 赤外発光ダイオード |
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