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參數(shù)資料
| 型號： | LPC1224FBD64/101,1 |
| 廠商： | NXP Semiconductors |
| 文件頁數(shù)： | 41/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 32BIT 32K FLASH 4K 64-LQFP |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | LPC1200 Series for Industrial Control |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 160 |
| 系列： | LPC1200 |
| 核心處理器： | ARM? Cortex?-M0 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 45MHz |
| 連通性： | I²C，IrDA，Microwire，SPI，SSI，SSP，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，DMA，POR，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 55 |
| 程序存儲器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 4K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 64-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 568-5155 LPC1224FBD64/201 LPC1224FBD64/201,1 |
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LPC122X
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 26 August 2011
46 of 61
NXP Semiconductors
LPC122x
32-bit ARM Cortex-M0 microcontroller
11.2 Flash memory
[1]
Erase and programming times are valid over the lifetime of the device (minimum 20000 cycles).
[2]
Number of program/erase cycles.
11.3 External clock
[1]
Parameters are valid over operating temperature range unless otherwise specified.
[2]
Typical ratings are not guaranteed. The values listed are at room temperature (25
C), nominal supply
voltages.
Table 12.
Dynamic characteristic: flash memory
Tamb = 40 C to +85 C; VDD(3V3) over specified ranges.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
ter
erase time
for one page (512 byte)
[1] -20
ms
for one sector (4 kB)
162
ms
for all sectors; mass
erase
[1] -20
ms
tprog
programming
time
one word (4 bytes)
[1] -49
s
four sequential words
[1] -194
s
128 bytes (one row of 32
words)
[1] -765
s
Nendu
endurance
[2] 20000
-
cycles
tret
retention time
10
-
years
Table 13.
Dynamic characteristic: external clock
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ[2]
Max
Unit
fosc
oscillator frequency
1
-
25
MHz
Tcy(clk)
clock cycle time
40
-
1000
ns
tCHCX
clock HIGH time
Tcy(clk) 0.4
--ns
tCLCX
clock LOW time
Tcy(clk) 0.4
--ns
tCLCH
clock rise time
-
5
ns
tCHCL
clock fall time
-
5
ns
Fig 21. External clock timing (with an amplitude of at least Vi(RMS) = 200 mV)
tCHCL
tCLCX
tCHCX
Tcy(clk)
tCLCH
002aaa907
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