參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1155I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155I
12
LTC1155
U
S
A
O
PPLICATI
Logic Controlled Boost Mode Switching Regulator with Short-Circuit Protection and 8
μ
A Standby Current
TYPICAL
High Efficiency 60Hz Full-Wave Synchronous Rectifier
1155 TA12
1/2
LTC1155
GND
G1
DS1
V
S
IN1
4.75V TO 5.25V
0.02
100
μ
F
MTM25N05L
*COILTRONICS CTX-7-52
0.33
μ
F
FROM
μ
P, ETC.
100k
2200
μ
F
5
4
2
3
1
LT1170
FAULT
1
μ
F
1k
50
μ
H*
10.7k
1%
1.24k
1%
68
μ
F
1N5820
5V SWITCHED
12V/1A
1N4148
+
+
+
1155 TA13
LTC1155
GND
IN2
G2
DS2
V
S
DS1
IN1
G1
IRFZ44*
18V
1N4746A
1N4148
**
9V/3A
DC
IRFZ44*
18V
1N4746A
1N4148
**
1N4148
1N4148
7
6
4
3
2
100k
10
μ
F
10k
0.03
1N4001
10k
10
12.6VCT
110V AC
100k
4700
μ
F
16V
D
S
D
S
MOSFETs ARE SYNCHRONOUSLY ENHANCED WHEN RECTIFIER CURRENT EXCEEDS 300mA
*NO HEATSINK REQUIRED. CASES (DRAINS) CAN BE TIED TOGETHER
**INTERNAL BODY DIODE OF MOSFET
–
+
LT1006
+
+
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LTC1155IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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