參數資料
型號： LTC1155I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 雙路高端微功率MOSFET驅動器
文件頁數： 3/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155I
3
LTC1155
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Standby Supply Current
Supply Current/Side (ON)
High Side Gate Voltage
Input Threshold Voltage
Drain Sense Threshold Voltage
Low Side Gate Voltage
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
30
35
40
45
50
5
10
20
1155 G01
μ
5
10
15
20
25
15
V
IN1
= V
IN2
= 0V
T
J
= 25
°
C
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
600
700
800
900
1000
5
10
20
1155 G02
μ
100
200
300
400
500
15
V
IN1
OR V
IN2
= 2V
T
J
= 25
°
C
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
4
V
16
18
20
22
24
5
10
20
1155 TPC03
6
8
10
12
14
15
S
G
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0.4
I
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
5
10
20
1155 G04
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
15
V
ON
V
OFF
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
50
D
110
120
130
140
150
5
10
20
1155 G05
60
70
80
90
100
15
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
V
G
18
21
24
27
30
2
4
10
1155 G06
3
6
9
12
15
6
8
LTC1155M
TYP
LTC1155C/LTC1155I
MIN
TYP
SYMBOL
t
OFF
PARAMETER
Turn OFF Time
CONDITIONS
V
S
= 5V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 12V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 5V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
V
S
= 12V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
< 1V
MIN
MAX
MAX
UNITS
10
36
60
10
36
60
μ
s
10
26
60
10
26
60
μ
s
t
SC
Short-Circuit Turn OFF Time
5
16
30
5
16
30
μ
s
5
16
30
5
16
30
μ
s
Note 1:
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life
of a device may be impaired.
Note 2:
Quiescent current OFF is for both channels in OFF condition.
Note 3:
Quiescent current ON is per driver and is measured independently.
The
G
denotes the specifications which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at T
A
= 25
°
C.
V
S
= 4.5V to 18V, unless otherwise noted.
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
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LTC1155IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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