參數(shù)資料
型號： LTC1155I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 16/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155I
16
LTC1155
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1991
U
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
Isolated High Voltage High Side Switch with Circuit Breaker
1155fa LT/TP 0399 2K REV A PRINTED IN USA
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7417
(408) 432-1900
G
FAX: (408) 434-0507
G
www.linear-tech.com
RELATED PARTS
PART NUMBER
LTC1153
LT1161
LTC1163
LTC1255
LTC1477
LTC1623
LTC1710
DESCRIPTION
Auto-Reset Electronic Circuit Breaker
Quad Protected High Side MOSFET Driver
Triple 1.8V to 6V High Side MOSFET Driver
Dual 24V High Side MOSFET Driver
Protected Monolithic High Side Switch
SMBus Dual High Side Switch Controller
SMBus Dual Monolithic High Side Switch
COMMENTS
Programmable Trip Current, Fault Status Output
8V to 48V Supply Range, Individual Short-Circuit Protection
0.01
μ
A Standby Current, Triple Driver in SO-8 Package
Operates from 9V to 24V, Short-Circuit Protection
Low R
DS(ON)
0.07
Switch, 2A Short-Circuit Protected
2-Wire SMBus Serial Interface, Built-In Gate Charge Pumps
Two Low R
DS(ON)
0.4
/300mA Switches in 8-Lead MSOP Package
1155 TA18
LTC1155
GND
IN2
G2
DS2
V
S
DS1
G1
IN1
0.1
1k
6A MAX
1k
90V
18V
1N4746A
4N28
1M
1k
C
B
E
10mA
CONTROL
0.1
μ
F
200V
100pF
1/6 74C14
6V TO 12V
100k
10
μ
F
25V
1N4148
1N5817
1N4148
MUR420
M
1N5817
+
2N2222
1155 TA19
LTC1155
GND
IN2
G2
DS2
V
S
DS1
G1
IN1
0.05
IRFZ24
18V
1N4746A
100k
0.0022
μ
F
1/6 74C14
5V
100k
1N4148
1N5817
18V
1N4746A
0.01
μ
F
100k
5.6V
1N4690A
IN/OUT
IN/OUT
24V AC
2A MAX
IRFZ24
100k
ON/OFF
1/6 74C14
300
600
0.1
μ
F
1
μ
F
*PICO ELECTRONICS F-28115 OR EQUIVALENT
T1*
IN/OUT
ON/OFF
IN/OUT
2A
EQUIVALENT FUNCTION
+
Isolated Solid-State AC Relay with Circuit Breaker
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參數(shù)描述
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LTC1155IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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