參數(shù)資料
型號: LTC1255C
廠商: Linear Technology Corporation
英文描述: Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述: 雙24V的高邊MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù): 11/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: LTC1255C
11
LTC1255
TYPICAL APPLICATIU
Automotive Motor Direction and Speed Control with
Stall-Current Shutdown
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
0.1
μ
F
100k
30k
30k
12V
MMBZ5242B
MTD3055E
100
0.1
μ
F
14V
DC MOTOR
12V
MMBZ5242B
MTD3055E
MTD3055EL
MOTOR SPEED
AND DIRECTION
CONTROL LOGIC
OR
μ
P
DIRECTION
DIRECTION
PWM 2
PWM 1
MTD3055EL
+
10
μ
F
50V
MR2535L
14V
0.02
5V
LTC1255 TA05
10 to 12 Cell Battery Switch and 5V Ramped Load Switch with
12
μ
A Standby Current and Optional 3A Overcurrent Shutdown
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
100k
μ
P OR
CONTROL
LOGIC
V
LOGIC
10k
10k
2N2222
0.22
μ
F*
100k*
18V TO 30V
FROM
BATTERY
CHARGER
9.1V
MMBZ5239BL
0.033
*
1N5400
10 TO 12
CELL
BATTERY
PACK
IRFR024
12V
MMBZ5242BL
IRFR024
+
100
μ
F
HIGH
EFFICIENCY
SWITCHING
REGULATOR
V
IN
+
100
μ
F
5V/1A
SWITCHED
BATTERY
5V/1A
(SWITCHED)
MTD3055EL
V
OUT
100k
1k
0.1
μ
F
*OPTIONAL 3A OVERCURRENT SHUTDOWN
SEE LTC1149 DATA SHEET FOR CIRCUIT DETAILS
LTC1255 TA04
1N4148
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255I Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255CS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255CN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063