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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LTC1255C |
| 廠商： | Linear Technology Corporation |
| 英文描述： | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| 中文描述： | 雙24V的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LTC1255C |
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13
LTC1255
TYPICAL APPLICATIU
18V to 32V Operation with Overcurrent Shutdown and Optional
Overvoltage Shutdown
Bootstrapped Gate Driver (100Hz < f
O
< 10kHz)
High-Side Switch with Thermal Shutdown (PTC Thermistor)
V
S
DS1
1/2 LTC1255
GND
IN1
G1
+
10
μ
F
*KEYSTONE RL2006-100-100-30-PT
LOAD
IRF530
FROM
μ
P, ETC.
9V TO 24V
LTC1255 TA10
PTC*
THERMISTOR
(100°C)
12V
1N5242B
100k
V
S
DS1
1/2 LTC1255
G1
GND
IN1
+
10k
2N3904
1k
2N3906
36V*
1N5258B
R
0.10
1W
(I
MAX
= V
BE
/R
SEN
)
10k
12V
1N5242B
IRF530
FROM
μ
P, ETC.
24V
1N5252B
1
μ
F
50V
18V TO 32V
LOAD
1k
18V TO 32V
*OPTIONAL 36V OVERVOLTAGE SHUTDOWN
LTC1255 TA08
V
S
DS1
1/2 LTC1255
GND
IN1
G1
+
10
μ
F
2N2222
12V
1N5242B
*V
GS
= V
S
– 0.6V
(CLAMPED AT 12V)
RISE AND FALL TIMES
ARE BETA TIMES FASTER
*
1N4148
LOAD
2N3906
IRFZ44
0.1
μ
F
FROM
μ
P, ETC.
9V TO 24V
0.036
LTC1255 TA09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1255 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255I | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255CS8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255IN8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255IS8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTC1255CN8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 |
| LTC1255CN8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 |
| LTC1255CS8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 |
| LTC1255CS8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| LTC1255CS8#TR | 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類(lèi)型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱(chēng):835-1063 |
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