參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1255CS8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述： 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1255CS8
12
LTC1255
TYPICAL APPLICATIU
Low Frequency (f
O
= 100Hz) PWM Motor Speed Control with
Current Limit and 22V Overvoltage Shutdown
Dual Automotive Lamp Dimmer with Controlled Rise and Fall Times
and Short-Circuit Protection
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
+
22V
MMBZ5251BL
100k
10k
10k
0.47
μ
F
100
0.1
μ
F
50V
LMC555
0.01
μ
F
3
5
2
6
8 4
22V
MMBZ5251BL
MR750
0.01
10
μ
F
50V
IRFR024
LTC1255 TA06
+
1
μ
F
5.6V
9.1k
MR2535L
14V
1
0.1
μ
F
1k
1N4148
FAST
15k
MED
30k
SLOW
60k
OFF
1N4148
14V
MOTOR
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
100
LMC555
0.01
μ
F
3
5
2
6
8 4
+
10
μ
F
5.6V
9.1k
1
0.1
μ
F
1N4148
1N4148
100k
1k
PULSE
WIDTH
ADJUST
+
10
μ
F
50V
MR2535L
14V
0.1
μ
F
0.1
μ
F
30k
0.1
μ
F
0.05
100k
30k
12V
MMBZ5242B
#53
14V
BULBS
MTD3055E
12V
MMBZ5242B
MTD3055E
0.05
100k
LTC1255 TA06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1258-2.5 Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
LTC1258-5 Micropower Low Dropout References(5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
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參數(shù)描述
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
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