參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1255CS8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述： 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 16/16頁(yè)
文件大小： 340K
代理商： LTC1255CS8
16
LTC1255
Linear Technology Corporation
1630 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035-7487
(408) 432-1900
G
FAX
: (408) 434-0507
G
TELEX
: 499-3977
PACKAGE DESCRIPTIOU
Dimensions in inches (millimeters) unless otherwise noted.
N8 Package
8-Lead Plastic DIP
S8 Package
8-Lead SOIC
N8 0393
0.045 ± 0.015
(1.143 ± 0.381)
0.100 ± 0.010
(2.540 ± 0.254)
0.065
(1.651)
TYP
0.045 – 0.065
(1.143 – 1.651)
0.130 ± 0.005
(3.302 ± 0.127)
0.020
(0.508)
MIN
0.018 ± 0.003
(0.457 ± 0.076)
0.125
(3.175)
MIN
1
2
3
4
8
7
6
5
0.250 ± 0.010
(6.350 ± 0.254)
0.400
(10.160)
MAX
0.009 – 0.015
(0.229 – 0.381)
0.300 – 0.320
(7.620 – 8.128)
0.325–0.015
+0.635
–0.381
8.255
(
)
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1993
LT/GP 0493 10K REV 0
1
2
3
4
0.150 – 0.157
(3.810 – 3.988)
8
7
6
5
0.189 – 0.197
(4.801 – 5.004)
0.228 – 0.244
(5.791 – 6.197)
0.016 – 0.050
0.406 – 1.270
0.010 – 0.020
(0.254 – 0.508)
×
45
°
0°– 8° TYP
0.008 – 0.010
(0.203 – 0.254)
SO8 0393
0.053 – 0.069
(1.346 – 1.752)
0.014 – 0.019
(0.355 – 0.483)
0.004 – 0.010
(0.101 – 0.254)
0.050
(1.270)
BSC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1258-2.5 Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
LTC1258-5 Micropower Low Dropout References(5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
LTC1255CS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
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