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參數(shù)資料
| 型號： | LTC1255CS8 |
| 廠商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 340K |
| 代理商： | LTC1255CS8 |
15
LTC1255
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tation that the interconnection of its circuits as described herein will not infringe on existing patent rights.
TYPICAL APPLICATIU
Stepper Motor Driver with Overcurrent Protection
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
IN1
G1
DS2
0.01
μ
F
100k
12V
MMBZ5242BL
IRFR024
0.036
IRFR024
12V
MMBZ5242BL
V
S
LTC1255
IN2
GND
DS1
G2
G1
IN1
DS2
0.01
μ
F
100k
0.036
12V
MMBZ5242BL
12V
MMBZ5242BL
IRFR024
STEPPER MOTOR WINDINGS
A
12V
1N4001
B
1N4001
D
1N4001
1N4001
C
STEPPER
MOTOR
CONTROL
LOGIC
5V
100
μ
F
+
A
B
C
D
LTC1255 TA13
IRFR024
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1255IN8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255IS8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1258-2.5 | Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準) |
| LTC1258-4.1 | Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準) |
| LTC1258-5 | Micropower Low Dropout References(5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTC1255CS8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| LTC1255CS8#TR | 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255CS8#TRPBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255IN8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255IN8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
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