參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1255I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述： 雙24V的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 11/16頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1255I
11
LTC1255
TYPICAL APPLICATIU
Automotive Motor Direction and Speed Control with
Stall-Current Shutdown
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
0.1
μ
F
100k
30k
30k
12V
MMBZ5242B
MTD3055E
100
0.1
μ
F
14V
DC MOTOR
12V
MMBZ5242B
MTD3055E
MTD3055EL
MOTOR SPEED
AND DIRECTION
CONTROL LOGIC
OR
μ
P
DIRECTION
DIRECTION
PWM 2
PWM 1
MTD3055EL
+
10
μ
F
50V
MR2535L
14V
0.02
5V
LTC1255 TA05
10 to 12 Cell Battery Switch and 5V Ramped Load Switch with
12
μ
A Standby Current and Optional 3A Overcurrent Shutdown
V
S
DS1
LTC1255
G2
GND
IN2
G1
DS2
IN1
100k
μ
P OR
CONTROL
LOGIC
V
LOGIC
10k
10k
2N2222
0.22
μ
F*
100k*
18V TO 30V
FROM
BATTERY
CHARGER
9.1V
MMBZ5239BL
0.033
*
1N5400
10 TO 12
CELL
BATTERY
PACK
IRFR024
12V
MMBZ5242BL
IRFR024
+
100
μ
F
HIGH
EFFICIENCY
SWITCHING
REGULATOR
V
IN
+
100
μ
F
5V/1A
SWITCHED
BATTERY
5V/1A
(SWITCHED)
MTD3055EL
V
OUT
100k
1k
0.1
μ
F
*OPTIONAL 3A OVERCURRENT SHUTDOWN
SEE LTC1149 DATA SHEET FOR CIRCUIT DETAILS
LTC1255 TA04
1N4148
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255CS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1258-2.5 Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255IN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LTC1255IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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