參數(shù)資料
型號: LTC1255I
廠商: Linear Technology Corporation
英文描述: Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述: 雙24V的高邊MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù): 2/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: LTC1255I
2
LTC1255
Supply Voltage ......................................... –0.3V to 30V
Transient Supply Voltage (<10ms)......................... 40V
Input Voltage ..................... (V
S
+ 0.3V) to (GND – 0.3V)
Gate Voltage ...................... (V
S
+ 20V) to (GND – 0.3V)
Current (Any Pin)................................................. 50mA
A
U
G
W
A
W
U
W
A
R
BSOLUTE
XI
TI
S
Operating Temperature Range
LTC1255C............................................... 0
°
C to 70
°
C
LTC1255I........................................... –40
°
C to 85
°
C
Storage Temperature Range ................ –65
°
C to 150
°
C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec)................. 300
°
C
U
PACKAGE/ORDER U
ORDER PART
NUMBER
ORDER PART
NUMBER
T
JMAX
= 100
°
C,
θ
JA
= 130
°
C/W
T
JMAX
= 100
°
C,
θ
JA
= 150
°
C/W
1
2
3
4
8
7
6
5
TOP VIEW
DS1
GATE 1
GND
IN1
DS2
GATE 2
V
S
IN2
N8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC DIP
1
2
3
4
8
7
6
5
TOP VIEW
DS2
GATE 2
V
S
IN2
DS1
GATE 1
GND
IN1
S8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC SOIC
SYMBOL
I
Q
PARAMETER
Quiescent Current OFF
CONDITIONS
V
S
= 10V, V
IN
= 0V (Note 1)
V
S
= 18V, V
IN
= 0V (Note 1)
V
S
= 24V, V
IN
= 0V (Note 1)
V
S
= 10V, V
GATE
= 22V, V
IN
= 5V (Note 2)
V
S
= 18V, V
GATE
= 30V, V
IN
= 5V (Note 2)
V
S
= 24V, V
GATE
= 36V, V
IN
= 5V (Note 2)
MIN
TYP
12
12
12
160
350
600
MAX
40
40
40
400
800
1200
UNITS
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
μ
A
pF
mV
mV
μ
A
Quiescent Current ON
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
SEN
Input High Voltage
Input Low Voltage
Input Current
Input Capacitance
Drain Sense Threshold Voltage
G
2
G
0.8
±
1
0V
V
IN
V
S
G
5
80
75
100
100
120
125
±
0.1
12
G
I
SEN
V
GATE
– V
S
I
GATE
Drain Sense Input Current
Gate Voltage Above Supply
Gate Output Drive Current
0V
V
SEN
V
S
V
S
= 9V
V
S
= 18V, V
GATE
= 30V
V
S
= 24V, V
GATE
= 36V
G
G
7.5
5
5
10.5
20
23
V
G
G
μ
A
μ
A
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
V
S
= 9V to 24V, T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted.
LTC1255CN8
LTC1255IN8
S8 PART MARKING
LTC1255CS8
LTC1255IS8
1255
1255I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255CS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1258-2.5 Micropower Low Dropout References(2.5V輸出,微功耗,低壓差電壓基準)
LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗,低壓差電壓基準)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LTC1255IN8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LTC1255IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1255IS8#TR 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063