參數(shù)資料
型號(hào)： LTC1255I
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Dual 24V High-Side MOSFET Driver
中文描述： 雙24V的高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1255I
3
LTC1255
SYMBOL
t
ON
PARAMETER
Turn-ON Time
CONDITIONS
V
S
= 10V, C
GATE
= 1000pF (Note 3)
Time for V
GATE
> V
S
+ 2V
Time for V
GATE
> V
S
+ 5V
V
S
= 18V, C
GATE
= 1000pF (Note 3)
Time for V
GATE
> V
S
+ 5V
Time for V
GATE
> V
S
+ 10V
V
S
= 24V, C
GATE
= 1000pF (Note 3)
Time for V
GATE
> V
S
+ 10V
V
S
= 10V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
V
S
= 18V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
V
S
= 24V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
V
S
= 10V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
V
S
= 18V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
V
S
= 24V, C
GATE
= 1000pF, (Note 3, 4)
MIN
TYP
MAX
UNITS
30
75
100
250
300
750
μ
s
μ
s
40
75
120
250
400
750
μ
s
μ
s
50
10
10
10
5
5
5
180
24
21
19
16
16
16
500
60
60
60
30
30
30
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
t
OFF
Turn-OFF Time
t
SC
Short-Circuit Turn-OFF Time
V
S
= 9V to 24V, T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted.
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
The
G
denotes specifications which apply over the full operating
temperature range.
Note 1:
Quiescent current OFF is for both channels in OFF condition.
Note 2:
Quiescent current ON is per driver and is measured independently.
The gate voltage is clamped to 12V above the rail to simulate the effects of
protection clamps connected across the GATE-SOURCE of the power
MOSFET.
Note 3:
Zener diode clamps must be connected across the GATE-SOURCE
of the power MOSFET to limit V
GS
. 1N5242A (through hole) or
MMBZ5242A (surface mount) 12V Zener diodes are recommended. All
Turn-ON and Turn-OFF tests are performed with a 12V Zener clamp in
series with a small-signal diode connected between V
S
and the GATE
output to simulate the effects of a 12V protection Zener clamp connected
across the GATE-SOURCE of the power MOSFET.
Note 4:
Time for V
GATE
to drop below 1V.
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Standby Supply Current
Gate Voltage Above Supply
Supply Current per Driver (ON)
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
V
G
S
4
6
8
10
12
14
5
10
15
20
LTC1255 TPC03
25
16
18
20
2
30
V
CLAMP
= 12V
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
5
10
15
20
LTC1255 TPC02
25
1.6
1.8
2.0
0.2
30
ONE INPUT = 0N
OTHER INPUT = OFF
T
A
= 25°C
SUPPLY VOLTAGE (V)
0
0
S
μ
A
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
LTC1255 TPC01
25
40
45
50
5
30
V
IN1
= V
IN2
= 0V
T
A
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1255CS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IN8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
LTC1255IS8 Dual 24V High-Side MOSFET Driver
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LTC1258-4.1 Micropower Low Dropout References(4.1V輸出,微功耗，低壓差電壓基準(zhǔn))
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參數(shù)描述
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LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
LTC1255IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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