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參數(shù)資料
| 型號： | LTE42005S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | LTE42005S |
1997 Feb 21
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LTE42005S
Fig.5 Load power as a function of input power.
f = 4.2 GHz; T
mb
= 25
°
C.
V
CE
= 18 V; I
C
= 110 mA (both regulated).
(1) G
po
= 7.2 dB.
handbook, halfpage
0
typ
400
200
0
50
100
150
MGL012
PL
(mW)
Pi (mW)
(1)
PL1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTE42008R | NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | NPN microwave power transistor |
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| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTE42008R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
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