參數(shù)資料
型號： LTE42012R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： LTE42012R
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of June 1992
1997 Feb 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
LTE42012R
NPN microwave power transistor
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LTE-4206 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
LTE-4206_1 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR
LTE4206C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic
LTE-4206C 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk
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