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參數(shù)資料
| 型號： | LWE2010S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | LWE2010S |
1997 Feb 19
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LWE2010S
List of components
(see Fig.4)
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
L1
L2
C1, C2
C3, C4
3 turns 0.2 mm copper wire with ferrite bead
5 turns 0.5 mm copper wire
feedthrough bypass capacitor
DC block capacitor
int. dia. 2 mm
int. dia. 2 mm
Erie, ref. 1214-001
100 pF
Fig.5 Load power as a function of input power.
f = 2.3 GHz; V
CE
= 18 V; I
C
= 110 mA (regulated).
handbook, halfpage
0
0.8
0.4
0
0.05
0.1
Pi (W)
PL
(W)
0.2
MGA251
0.15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LWE2015R | NPN microwave power transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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