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參數(shù)資料
| 型號： | LWE2010S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | LWE2010S |
1997 Feb 19
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LWE2010S
Fig.6 Input impedance as a function of frequency associated with optimum load impedances.
handbook, full pagewidth
0.2
0.5
1
2
5
10
∞
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MGA253
Zi
2.3 GHz
0.5
1
0.2
10
5
2
2 GHz
P
L1
= 0.8 W;
V
CE
= 18 V;
Z
O
= 50
;
I
C
= 110 mA.
Fig.7 Optimum load impedance as a function of frequency; typical values.
handbook, full pagewidth
0.2
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∞
0.2
0.5
1
2
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+ j
– j
MGA252
ZL
2 GHz
2.3 GHz
0.5
1
0.2
10
5
2
P
L1
= 0.8 W;
V
CE
= 18 V;
Z
O
= 50
;
I
C
= 110 mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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