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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64322A-5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 39/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-5BG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
39/47
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @ CAS Letency = 2 , Burst Length = 4
*Note : 1. DQM is needed to prevent bus contention.
2. t
RCD
should be met.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
Ra
Ca
Cb
C c
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
t
S H Z
Qb1
Qb0
t
S H Z
Dc0
Dc2
*Not e 1
Row Active
Read
Clock
Supension
Read
Read DQM
W r ite
W r ite
DQ M
Clock
Suspension
W r ite
DQ M
:Don't Car e
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
12
13
14
17
15
18
16
19
0
t
RC D
* No t e 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-5BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-5TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
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