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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L64322A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 791K |
| 代理商： | M12L64322A-6BG |
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ES MT
M12L64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2007
Revision
:
2.3
45/47
PACKING DIMENSIONS
86 - LEAD TSOP(II)
DRAM(400mil)
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
ZD
E
E1
L
L1
e
R1
R2
θ
θ
1
θ
2
θ
3
Dimension in mm
Norm
0.10
1.00
0.20
0.127
22.22 BSC
0.61 REF
11.76 BSC
10.16 BSC
0.50
0.80 REF
0.50 BSC
°
15
15
Dimension in inch
Norm
0.004
0.039
0.008
0.005
0.875 BSC
0.024 REF
0.463 BSC
0.400 BSC
0.020
0.031 REF
0.020 BSC
°
15
15
Min
Max
1.20
0.15
1.05
0.27
0.23
0.21
0.16
Min
Max
0.047
0.006
0.041
0.018
0.009
0.008
0.006
0.05
0.95
0.17
0.17
0.12
0.10
0.002
0.037
0.007
0.007
0.005
0.004
0.40
0.60
0.016
0.024
0.12
0.12
°
0
°
0
10
10
0.005
0.005
°
0
°
0
10
10
0.010
0.25
°
8
°
8
°
°
20
20
°
°
20
20
°
°
°
°
°
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64322A-6BG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
| M12L64322A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6TG2U | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks |
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