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參數(shù)資料
| 型號： | M12S64322A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 32位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/46頁 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | M12S64322A |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
2/46
SDRAM
512K x 32 Bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
FEATURES
y
JEDEC standard 2.5V power supply
y
LVTTL compatible with multiplexed address
y
Four banks operation
y
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 2 & 3 )
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )
- Burst Type ( Sequential & Interleave )
y
All inputs are sampled at the positive going edge of the
system clock
y
DQM for masking
y
Auto & self refresh
y
15.6
μ
s refresh interval
GENERAL DESCRIPTION
The M12S64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
PIN ARRANGEMENT
Top View
ORDERING INFORMATION
Product No.
MAX FREQ. PACKAGE COMMENTS
M12S64322A-6TG
166MHz
TSOPII
Pb-free
M12S64322A-7TG
143MHz
TSOPII
Pb-free
M12S64322A-6BG
166MHz
90BGA
Pb-free
M12S64322A-7BG
143MHz
90BGA
Pb-free
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
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23
24
25
26
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28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
SSQ
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
SSQ
DQ24
V
SS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SSQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
V
SSQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
86Pin TSOP(II)
(400mil x 875mil)
(0.5mm Pin pitch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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