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參數(shù)資料
| 型號： | M12S64322A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 32位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 41/46頁 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | M12S64322A |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
41/46
Active/Precharge Power Down Mode @ CAS Latency = 2, Burst Length = 4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
*Note: 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA0
A c t i v e
P o w er - do w n
E xi t
P r e c h a r g e
: D o n ' t c a r e
*No t e 3
* Not e 2
* Not e 1
t
S S
t
S S
t
S S
Ra
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
t
S H Z
Precharge
Power-Down
Entry
Precharge
Power-Down
Exit
Row Active
Active
Power-down
Entry
Read
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Ca
BA1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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