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參數(shù)資料
| 型號： | M13S2561616A-6TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 8/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1232K |
| 代理商： | M13S2561616A-6TG |
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ES MT
M13S2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 1.3 8/48
AC Timing Parameter & Specifications-continued
-4
-5
-6
Parameter
Symbol
min
max
min
max
min
max
ns
Half Clock Period
t
HP
t
CL
min or
t
CH
min
t
HP
-t
QHS
-
t
CL
min or
t
CH
min
t
HP
-t
QHS
-
t
CL
min or
t
CH
min
t
HP
-t
QHS
-
ns
DQ-DQS output hold time
t
QH
-
-
-
ns
ACTIVE to PRECHARGE
command
t
RAS
40
70K
40
70K
42
70K
ns
Row Cycle Time
t
RC
52
-
55
-
60
-
ns
AUTO REFRESH Row Cycle
Time
t
RFC
52
-
70
-
72
-
ns
ACTIVE to READ,WRITE
delay
t
RCD
15
-
15
-
18
-
ns
PRECHARGE command
period
t
RP
15
-
15
-
18
-
ns
ACTIVE to READ with
AUTOPRECHARGE
command
t
RAP
18
120K
18
120K
18
120K
ns
ACTIVE bank A to ACTIVE
bank B command
t
RRD
8
-
10
-
12
-
ns
Write recovery time
t
WR
15
-
15
-
15
-
t
CK
Write data in to READ
command delay
t
WTR
2
-
2
-
1
-
t
CK
Col. Address to Col. Address
delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
t
CK
Average periodic refresh
interval
t
REFI
-
7.8
-
7.8
-
7.8
us
Write preamble
t
WPRE
0.25
-
0.25
-
0.25
-
t
CK
Write postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
DQS read preamble
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
DQS read postamble
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
Clock to DQS write preamble
setup time
t
WPRES
0
-
0
-
0
-
ns
Load Mode Register /
Extended Mode register
cycle time
t
MRD
2
-
2
-
1
-
t
CK
Exit self refresh to READ
command
t
XSRD
200
-
200
-
200
-
t
CK
Exit self refresh to
non-READ command
t
XSNR
75
-
75
-
75
-
ns
Autoprecharge write
recovery+Precharge time
t
DAL
30
-
30
-
-
30
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M13S256328A | 2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A | 256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S64164A-5BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M13S2561616A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S256328A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S256328A-5BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S32321A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:256K x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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