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參數(shù)資料
| 型號： | M13S2561616A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/48頁 |
| 文件大小： | 1232K |
| 代理商： | M13S2561616A |
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ES MT
M13S2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007
Revision : 1.3 4/48
Pin Description
Pin Name
Function
Pin Name
Function
A0~A12,
BA0,BA1
Address inputs
- Row address A0~A12
- Column address A0~A8
A10/AP : AUTO Precharge
BA0, BA1 : Bank selects (4 Banks)
LDM, UDM
DM is an input mask signal for write
data. LDM corresponds to the data
on DQ0~DQ7; UDM correspond to
the data on DQ8~DQ15.
DQ0~DQ15
Data-in/Data-out
CLK, CLK
Clock input
RAS
Row address strobe
CKE
Clock enable
CAS
Column address strobe
CS
Chip select
WE
V
SS
Write enable
V
DDQ
Supply Voltage for GDQ
Ground
V
SSQ
Ground for DQ
V
DD
Power
V
REF
Reference Voltage for SSTL-2
LDQS, UDQS
Bi-directional Data Strobe. LDQS
corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDQS correspond to the data on
DQ8~DQ15.
NC
No connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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