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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M1A3PE3000L-FG484 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 76/162頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 40 |
| 系列： | ProASIC3EL |
| RAM 位總計(jì)： | 516096 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 341 |
| 門數(shù)： | 3000000 |
| 電源電壓： | 1.14V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 484-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 484-FPBGA（23x23） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁當(dāng)前第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁
ProASIC3E DC and Switching Characteristics
2-6
Revision 13
Calculating Power Dissipation
Quiescent Supply Current
Power per I/O Pin
Table 2-7 Quiescent Supply Current Characteristics
A3PE600
A3PE1500
A3PE3000
Typical (25°C)
5 mA
12 mA
25 mA
Maximum (Commercial)
30 mA
70 mA
150 mA
Maximum (Industrial)
45 mA
105 mA
225 mA
Notes:
1. IDD Includes VCC, VPUMP, VCCI, and VMV currents. Values do not include I/O static contribution, which is shown in
2. –F speed grade devices may experience higher standby IDD of up to five times the standard IDD and higher I/O
leakage.
Table 2-8 Summary of I/O Input Buffer Power (per pin) – Default I/O Software Settings
VMV
(V)
Static Power
PDC2 (mW)1
Dynamic Power
PAC9 (W/MHz)2
Single-Ended
3.3 V LVTTL/LVCMOS
3.3
–
17.39
3.3 V LVTTL/LVCMOS – Schmitt trigger
3.3
–
25.51
3.3 V LVTTL/LVCMOS Wide Range3
3.3
–
16.34
3.3 V LVTTL/LVCMOS Wide Range – Schmitt trigger3
3.3
–
24.49
2.5 V LVCMOS
2.5
–
5.76
2.5 V LVCMOS – Schmitt trigger
2.5
–
7.16
1.8 V LVCMOS
1.8
–
2.72
1.8 V LVCMOS – Schmitt trigger
1.8
–
2.80
1.5 V LVCMOS (JESD8-11)
1.5
–
2.08
1.5 V LVCMOS (JESD8-11) – Schmitt trigger
1.5
–
2.00
3.3 V PCI
3.3
–
18.82
3.3 V PCI – Schmitt trigger
3.3
–
20.12
3.3 V PCI-X
3.3
–
18.82
3.3 V PCI-X – Schmitt trigger
3.3
–
20.12
Voltage-Referenced
3.3 V GTL
3.3
2.90
8.23
2.5 V GTL
2.5
2.13
4.78
3.3 V GTL+
3.3
2.81
4.14
2.5 V GTL+
2.5
2.57
3.71
Notes:
1. PDC2 is the static power (where applicable) measured on VMV.
2. PAC9 is the total dynamic power measured on VCC and VMV.
3. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD8b specification.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASM44DRXI | CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD |
| A3PE3000L-FG484 | IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA |
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| A3PE3000L-FGG484 | IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA |
| AMC25DRYI-S734 | CONN EDGECARD 50POS DIP .100 SLD |
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參數(shù)描述 |
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| M1A3PE3000L-FG896I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3EL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):129024 輸入/輸出數(shù):248 門數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75） |
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