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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25PE20-VMP6G |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門(mén)，串行閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/60頁(yè) |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | M25PE20-VMP6G |
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DC and AC parameters
M25PE20, M25PE10
50/60
Table 20.
AC characteristics (25 MHz operation)
Test conditions specified in
Table 16
and
Table 17
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
f
C
f
C
Clock Frequency for the following
instructions: FAST_READ, PW, PP, PE,
SE, DP, RDP, WREN, WRDI, RDSR
D.C.
25
MHz
f
R
Clock Frequency for READ instructions
D.C.
20
MHz
t
CH(1)
t
CL(1)
1.
t
CH
+ t
CL
must be greater than or equal to 1/ f
C
Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
t
CLH
Clock High Time
18
ns
t
CLL
Clock Low Time
18
ns
Clock Slew Rate
(2)
(peak to peak)
0.1
V/ns
t
SLCH
t
CSS
S Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
CHSL
S Not Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
DVCH
t
DSU
Data In Setup Time
5
ns
t
CHDX
t
DH
Data In Hold Time
5
ns
t
CHSH
S Active Hold Time (relative to C)
10
ns
t
SHCH
S Not Active Setup Time (relative to C)
10
ns
t
SHSL
t
SHQZ(2)
t
CSH
S Deselect Time
200
ns
2.
t
DIS
Output Disable Time
15
ns
t
CLQV
t
V
Clock Low to Output Valid
15
ns
t
CLQX
t
HO
Output Hold Time
0
ns
t
THSL
Top Sector Lock Setup Time
50
ns
t
SHTL
t
DP(2)
t
RDP(2)
Top Sector Lock Hold Time
100
ns
S to Deep Power-down
3
μ
s
S High to Standby Power Mode
30
μ
s
t
PW(3)
3.
When using PP and PW instructions to update consecutive Bytes, optimized timings are obtained with one
sequence including all the Bytes versus several sequences of only a few Bytes. (1
≤
n
≤
256)
Page Write Cycle Time (256 Bytes)
11
25
ms
Page Write Cycle Time (n Bytes)
10.2 +
n*0.8/256
t
PP(3)
Page Program Cycle Time (256 Bytes)
1.2
5
ms
Page Program Cycle Time (n Bytes)
0.4 +
n*0.8/256
t
PE
Page Erase Cycle Time
10
20
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
5
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE20-VMP6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20-VMP6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE10-VMN6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE20 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE20-VMP6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE20-VMP6TG | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 75MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):71V256SA15PZGI8 |
| M25PE20-VMP6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE20-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M25PE20-VMW6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays |
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