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參數(shù)資料
| 型號： | M25PE80-VMP6TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 599K |
| 代理商： | M25PE80-VMP6TP |
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M25PE80
42/43
REVISION HISTORY
Table 21. Document Revision History
Date
Version
Description of Revision
24-Nov-2004
0.1
First Issue.
07-Dec-2004
0.2
4KB Software protection granularity extended to Sector 15.
10-May-2005
0.3
SO16W package removed, SO8W package added.
End timing line of t
SHQZ
modified in
Figure 27., Output Timing
. Plating Technology
options modified in
Table 20., Ordering Information Scheme
. Minor text changes.
Tables
3
and
4
and
Figure 6.
for details on the software protection scheme.
25-Jul-2005
0.4
Lock Register programming sequence detailed in Section
Write to Lock Register
(WRLR)
.
Sections
An Easy Way to Modify Data
,
A Fast Way to Modify Data
,
Page Write (PW)
and
Page Program (PP)
, updated to explain when using Page Write and Page
Program instructions.
Bulk Erase cycle time (t
BE
), Page Write cycle time (t
PW
) and Page Program cycle time
(t
PP
) updated in
Table 16., AC Characteristics
.
24-Aug-2005
1.0
Version number updated for internet. No document changes.
25-Aug-2005
2.0
Document status updated to Preliminary Data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PE80 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMP6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PE80-VMW6T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PE80-VMS6G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8bit 8ns 8-Pin QFN Tray |
| M25PE80-VMS6P | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMS6TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25PE80-VMS6TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout |
| M25PE80-VMW6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory with Byte-Alterability, 50MHz SPI Bus, Standard Pin-out |
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