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參數(shù)資料
| 型號： | M27512-2F1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| 中文描述： | NMOS管為512k 64KX8的紫外線存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | M27512-2F1 |
AI00827
2.4V
0.45V
2.0V
0.8V
Figure 3. AC Testing Input Output Waveforms
Input Rise and Fall Times
Input Pulse Voltages
Input and Output Timing Ref. Voltages
≤
20ns
0.45V to 2.4V
0.8V to 2.0V
AC MEASUREMENT CONDITIONS
AI00828
1.3V
OUT
CL = 100pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Figure 4. AC Testing Load Circuit
Note that Output Hi-Z is defined as the point where data
is no longer driven.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Note:
1. Sampled only, not 100% tested.
Table 5. Capacitance
(1)
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz )
AI00735
tAXQX
tEHQZ
DATA OUT
A0-A15
E
G
Q0-Q7
tAVQV
tGHQZ
tGLQV
tELQV
VALID
Hi-Z
Figure 5. Read Mode AC Waveforms
M27512
4/11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M27512-20F1 | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M27512-2F6 | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M27512-3F1 | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M27512-3F6 | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M27512-25F6 | NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M27512-2F6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M275122FI | 制造商:ST MICRO 功能描述:New |
| M27512-30F1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 DISC BY SGS 11/95 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 存儲容量: 組織: 數(shù)據(jù)保留: 最大時鐘頻率: 最大工作電流: 工作電源電壓: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| M27512-3F1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
| M27512-3F6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
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