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參數(shù)資料
| 型號： | M28W320EBT10N1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（處理器x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 13/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 299K |
| 代理商： | M28W320EBT10N1 |
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M28W320EBT, M28W320EBB
20/45
Table 12. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDDQ
±10
A
IDD
Supply Current (Read)
E = VSS, G = VIH, f = 5MHz
918
mA
IDD1
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
E = VDDQ ± 0.2V,
RP = VDDQ ± 0.2V
15
50
A
IDD2
Supply Current
(Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
50
A
IDD3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
510
mA
Program in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
520
mA
Erase in progress
VPP = VDD
10
20
mA
IDD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E = VDDQ ± 0.2V,
Erase suspended
15
50
A
IPP
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP > VDD
400
A
IPP1
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP ≤ VDD
15
A
IPP2
Program Current (Reset)
RP = VSS ± 0.2V
15
A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP = 12V ± 5%
110
mA
Program in progress
VPP = VDD
15
A
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP = 12V ± 5%
310
mA
Erase in progress
VPP = VDD
15
A
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ +0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
0.7 VDDQ
VDDQ +0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD = VDD min,
VDDQ = VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
1.65
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
11.4
12.6
V
VPPLK
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
1V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
2V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320EBT10N1T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10N6 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10N6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W320EBT70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECB70ZB6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 70NS 47TFBGA - Trays |
| M28W320ECB70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECT70ZB6 | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W320ECT70ZB6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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