參數(shù)資料
型號： M28W640ECT70ZB6T
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 20/54頁
文件大?。?/td> 957K
代理商： M28W640ECT70ZB6T
27/54
M28W640ECT, M28W640ECB
Table 18. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPP is seen as a logic input (VPP < 3.6V).
3. To be characterized.
Symbol
Alt
Parameter
M28W640EC
Unit
70
85
90
10
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
70(3)
85
90
100
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0000
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0000
ns
tEHEL
tCPH Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
30
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable
Low
Min
252530
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0000
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70(3)
85
90
100
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPP Low
Min
0000
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0000
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0000
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
50
ns
相關PDF資料
PDF描述
M28W640ECT85N1 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48
M28W640ECT85ZB1T 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48
M28W640ECT70ZB1E 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
M28W640ECT85N1E 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48
M29W040B70N1E 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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