參數(shù)資料
型號(hào)： M28W640ECT70ZB6T
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6.39 X 10.50 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 33/54頁(yè)
文件大小： 957K
代理商： M28W640ECT70ZB6T
39/54
M28W640ECT, M28W640ECB
Table 28. CFI Query System Interface Information
Offset
Data
Description
Value
1Bh
0027h
VDD Logic Supply Minimum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
0036h
VDD Logic Supply Maximum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4BCD value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
00B4h
VPP [Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4HEX value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
11.4V
1Eh
00C6h
VPP [Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4HEX value in volts
bit 3 to 0BCD value in 100 mV
12.6V
1Fh
0004h
Typical time-out per single word program = 2n s
16s
20h
0004h
Typical time-out for Double/Quadruple Word Program = 2n s
16s
21h
000Ah
Typical time-out per individual block erase = 2n ms
1s
22h
0000h
Typical time-out for full chip erase = 2n ms
NA
23h
0005h
Maximum time-out for Word program = 2n times typical
512s
24h
0005h
Maximum time-out for Double/Quadruple Word Program = 2n times typical
512s
25h
0003h
Maximum time-out per individual block erase = 2n times typical
8s
26h
0000h
Maximum time-out for chip erase = 2n times typical
NA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W640ECT85N1 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48
M28W640ECT85ZB1T 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48
M28W640ECT70ZB1E 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
M28W640ECT85N1E 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48
M29W040B70N1E 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28W640FCB70N6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M28W640FCB70N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W640FCB70N6F 功能描述:閃存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W640FCB70ZB6E 功能描述:閃存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W640FCB70ZB6F 功能描述:閃存 STD FLASH 64 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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