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參數(shù)資料
| 型號： | M28W800B100N1T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 19/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | M28W800B100N1T |
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M28W800T, M28W800B
26/40
Table 23A. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled (1)
(TA = 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. See AC Testing Measurement conditions for timing measurements.
2. Time is measured to Status Register Read giving bit b7 = ’1’.
3. For Program or Erase of the Lockable Blocks WP must be at VIH.
4. Sampled only, not 100% tested.
5. The device Reset is possible but not guaranteed if tPLPH < 100ns.
6. The reset will complete within 100ns if RP is asserted while not in Program nor in Erase mode.
Symbol
Alt
Parameter
M28W800
Unit
100
120
VDD = 3V to 3.6V
VDDQ = 2.7V min
VDD = 2.7V to 3.3V
VDDQ = 1.65V min
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
100
120
ns
tPHEL
tPS
Power Down High to Chip Enable Low
100
120
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
70
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
70
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
0
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
0
10
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
70
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
70
ns
tVPHEH
(4)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
200
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
0
ns
tEHQV1
(2, 3)
Chip Enable High to Output Valid
10
s
tEHQV2
(2)
Chip Enable High to Output Valid
(Parameter Block Erase)
4
sec
tEHQV3
(2)
Chip Enable High to Output Valid
(Main Block Erase)
5
sec
tQVVPL
(4)
Output Valid to VPP not VDD nor VPPH
00
ns
tPLPH
(4,5)
tRP
RP Reset Pulse Width
100
ns
tPLRH
(4,6)
RP Low to Program/Erase Abort
22
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M293 | EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS |
| M29DW324DT90ZA6F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63 |
| M29DW640F70N6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29F002BB120K1 | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F016D90M6F | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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