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參數(shù)資料
| 型號： | M29F400BT45M1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 45 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 13/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | M29F400BT45M1E |
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Command interface
M29F400BT, M29F400BB
The Command Interface only uses A–1, A0-A10 and DQ0-DQ7 to verify the commands;
A11-A17, DQ8-DQ14 and DQ15 are Don’t Care. DQ15A–1 is A–1 when BYTE is VIL or
DQ15 when BYTE is VIH.
4.11
Read/Reset
After a Read/Reset command, read the memory as normal until another command is
issued.
4.12
Auto Select
After an Auto Select command, read Manufacturer ID, Device ID or Block Protection Status.
4.13
Program, Unlock Bypass Program, Chip Erase, Block Erase
After these commands read the Status Register until the Program/Erase Controller
completes and the memory returns to Read Mode. Add additional Blocks during Block
Erase Command with additional Bus Write Operations until Timeout Bit is set.
Table 5.
Commands, 8-bit mode, BYTE = VIL
(1) (2)
1.
X = Don’t Care, PA = Program Address, PD = Program Data, BA = Any address in the Block.
2.
All values are in hexadecimal.
Command
Len
g
th
Bus Write Operations
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
Addr Data Addr Data Addr Data Addr Data Addr Data Addr Data
Read/Reset
1X
F0
3
AAA
AA
555
55
X
F0
Auto Select
3
AAA
AA
555
55
AAA
90
Program
4
AAA
AA
555
55
AAA
A0
PA
PD
Unlock Bypass
3
AAA
AA
555
55
AAA
20
Unlock Bypass
Program
2
X
A0
PA
PD
Unlock Bypass
Reset
2X
90
X
00
Chip Erase
6
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
AAA
10
Block Erase
6+ AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
BA
30
Erase Suspend
1
X
B0
Erase Resume
1
X
30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F400FB55M3F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44 |
| M29F400FB5AN6F2 | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO48 |
| M29W800B-120N5RTR | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| M29W800T-150M6 | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO44 |
| M29W800FB9N3F | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F400BT45N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 45 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400BT55M1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400BT55N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400BT55N6E | 功能描述:閃存 4 Mbit Sngl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F400BT70M1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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