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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W400DB45ZA1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | M29W400DB45ZA1E |
M29W400BT, M29W400BB
14/22
Figure 8. Read Mode AC Waveforms
AI02907
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A17/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
Table 14. ReadAC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W400B
Unit
55
70
90 / 120
t
AVAV
t
RC
Address Validto Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
55
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
55
70
90
ns
t
ELQX(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
55
70
90
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
30
35
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output
Transition
Min
0
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
30
40
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W400DB45ZA1F | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA1T | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA6E | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA6F | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA6T | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W400DB45ZE6E | 功能描述:閃存 4 MBIT 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W400DB45ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W400DB45ZE6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel |
| M29W400DB55N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W400DB55N3T | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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